Toshiba yazindua vituo viwili vya nguvu vya 80-N-channel

Vifaa hivyo vinasemekana vinafaa kwa matumizi ya nguvu ambapo operesheni ya upotezaji wa chini ni muhimu, pamoja na ubadilishaji wa ac-dc na dc-dc katika vituo vya data na vituo vya mawasiliano na vifaa vya kuendesha gari. 

Zote mbili za TPH2R408QM na TPN19008QM zinaonyesha kupunguzwa kwa karibu 40% katika usuluhishi wa chanzo cha upinzani (RDS (ON)) ikilinganishwa na bidhaa sambamba za 80V katika michakato ya mapema kama vile U-MOSVIII-H, madai ya Toshiba.

TPN19008QM ina thamani ya RDS (ON) ya 19mΩ (max.) Wakati thamani ya TPH2R408QM ni 2.43mΩ.

Kampuni inasema imeboresha muundo wa kifaa, kuboresha biashara ya kati ya RDS (ON) na sifa za malipo ya lango kwa hadi 15% na biashara ya kati ya RDS (ON) na malipo ya pato kwa 31%.

Misikiti imewekwa katika vifurushi vya mlima wa uso na inakadiriwa voltage ya chanzo cha 80V.

Wanafanya kazi kwa joto la kituo hadi 175ºC.

TPN19008QM imekadiriwa kukimbia kwa sasa ya 34A na imewekwa katika kifurushi cha 3.3 × 3.3mm TSON wakati TPH2R408QM imekadiriwa kwa 120A na kuwekwa kwenye kifurushi cha 5x6mm SOP.